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  • 苏州纳米技术与纳米仿... [3]
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Breakdown Enhancement and Current Collapse Suppression by High-Resistivity GaN Cap Layer in Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:  
Hao, Ronghui;  Li, Weiyi;  Fu, Kai(付凯);  Yu, Guohao;  Song, Liang
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Liquid-Exfoliated Black Phosphorous Nanosheet Thin Films for Flexible Resistive Random Access Memory Applications 期刊论文  OAI收割
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2016, 卷号: 26, 期号: 12
作者:  
Hao, CX;  Wen, FS;  Xiang, JY;  Yuan, SJ;  Yang, BC
收藏  |  浏览/下载:44/0  |  提交时间:2017/03/11
Normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors using hydrogen plasma treatment 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 15
作者:  
Hao, RH;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY;  Yuan, J
收藏  |  浏览/下载:44/0  |  提交时间:2017/03/11