机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2018 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A Novel Program Scheme for Program Disturbance Optimization in 3-D NAND Flash Memory 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  An Zhang;  Hongtao Liu;  Zou XQ(邹兴奇);  Jin L(靳磊)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/22