中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
上海技术物理研究所 [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2013 [1]
2012 [4]
2010 [3]
学科主题
红外基础研究 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
专题:上海技术物理研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Microwave-enhanced dephasing time in a HgCdTe film
期刊论文
OAI收割
Appl.Phys.Lett, 2013, 卷号: 102, 期号: 1
L.M.Wei K.H.Gao X.Z.Liu G.Yu Q.W.Wang T.Lin S.L.Guo Y.F.Wei J.R.Yang L.He N.Dai J.H.Chu and D.G.Austing
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2014/11/10
Dephasing
MonteCarlomethods
Electrongas
II-VIsemiconductors
Conductionbands
Anomalous spin-orbit coupling in high-density two-dimensional electron gas confined in InGaAs/InAlAs quantum well
期刊论文
OAI收割
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2012, 卷号: 152, 期号: 12
作者:
Gao, KH
;
Lin, T
;
Wei, LM
;
Liu, XZ
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/03/18
Magnetotransport property of HgCdTe inversion layer
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 2
作者:
Gao, KH
;
Wei, LM
;
Yu, GL
;
Yang, R
;
Lin, T
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/03/18
Effective g-factor in high-mobility InGaAs/InP quantum well
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 12
作者:
Wei, LM
;
Zhou, YM
;
Yu, GL
;
Gao, KH
;
Liu, XZ
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2013/03/18
Damage buildup and annealing characteristics in Be-implanted InAs0.93Sb0.07 film
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 285, 期号: 0
作者:
Wang, QW
;
Sun, CH
;
Hu, SH
;
Wei, LM
;
Wu, J
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2013/03/18
Electrical Property of Infrared-Sensitive InAs Solar Cells
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics Letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11
作者:
DENG Hui-Yong(邓惠勇)**, WANG Qi-Wei(王奇伟), TAO Jun-Chao(陶俊超), WU Jie(吴杰), HU Shu-Hong(胡淑红), CHEN Xin(陈鑫), DAI Ning(戴宁)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2011/09/13
Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 108
作者:
K. H. Gao,1,2 G. Yu,2,a Y. M. Zhou,2 L. M. Wei,2 T. Lin,2 L. Y. Shang,1,2 L. Sun,2 R. Yang,2 W. Z. Zhou,N. Dai,J. H. Chu,D. G. Austing,Y. Gu,Y. G. Zhang
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2011/09/13
Experimental approaches to zero-field spin splitting in a gated high-mobility In0.53Ga0.47As/InP quantum well structure: Weakantilocalization and beating pattern
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107
作者:
Y. M. Zhou,1 G. Yu,1,a L. M. Wei,1 K. H. Gao,1 W. Z. Zhou,1,2 T. Lin,1 L. Y. Shang,1 S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, D. G. Austing
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2011/09/13