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OAI收割 [39]
内容类型
期刊论文 [35]
专利 [3]
学位论文 [1]
发表日期
1984 [39]
学科主题
Astronomy ... [1]
分析化学 [1]
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共39条,第1-10条
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发表日期:1984
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Submounting device for semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1984172787A, 申请日期: 1984-09-29, 公开日期: 1984-09-29
作者:
OOTSUKA NAOTAKA
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提交时间:2020/01/13
Submounting device for semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1984172786A, 申请日期: 1984-09-29, 公开日期: 1984-09-29
作者:
OOTSUKA NAOTAKA
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/31
铜的亚氧化物Cu_(64)O的HREM研究
期刊论文
OAI收割
电子显微学报, 1984, 期号: 4, 页码: 9
关若男
;
郭可信
;
桥本初次郎
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/04/12
模拟计算:4184
结构模型:3796
含氧量:3585
电子衍射:3070
氧化物:3045
初期氧化:3015
晶体结构:2962
晶格常数:2565
衍射理论:2472
正交结构:2440
Cu_4Ti晶体结构的高分辨电子显微术研究
期刊论文
OAI收割
电子显微学报, 1984, 期号: 4, 页码: 8
张锦平
;
叶恒强
;
郭可信
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/04/12
衍射谱:4888
多相共生:3569
相结构:3319
高分辨电子显微术:3200
电子衍射图:3195
结构解释:2770
原子位置:2685
晶体结构:2577
滑移面:2381
单胞:2164
辉光放电光源中激发过程的研究
期刊论文
OAI收割
分析化学, 1984, 期号: 7, 页码: 608-610
徐升美
;
于波
;
任建世
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提交时间:2012/04/12
辉光放电光源:4946
激发过程:4131
表面分析:3663
阴极材料:3604
正比关系:3183
表面涂层:2218
放电特性:2203
合金:2134
冶金分析:2045
高重复率:1843
Zr-2合金贮能接触缝焊的研究
期刊论文
OAI收割
焊接学报, 1984, 期号: 2, 页码: 3-10
陈晓风,杭承钊
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/04/12
超快速加热:4221
电极材料:4133
焊接接头:3657
氧化膜厚度:3399
比压力:2973
温度高:2711
电容贮能缝焊:2657
导热性能:2485
脉冲放电:2385
再软化:2243
铁离子存在下辉铜矿氧压酸浸过程的研究
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院, 1984
张振健
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提交时间:2013/09/28
Photo semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: JP1984088886A, 申请日期: 1984-05-22, 公开日期: 1984-05-22
作者:
KAMATA TOORU
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/01/13
室温快离子导体Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)的电导率和热容研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 1984, 期号: 11, 页码: 1556-1562
赵宗源
;
陈立泉
;
倪泳明
;
马明荣
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/09/22
Cu-Nb原位法复合超导体的各向异性临界电流
期刊论文
OAI收割
低温物理, 1984, 期号: 4, 页码: 247-252
D.K.Finnemore
;
J.D.Verhoeven
;
赵忠贤
;
崔长庚
;
郭树权
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提交时间:2013/09/17