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  • 1981 [10]
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Oscillation and modulation isolation type semiconductor diode laser 专利  OAI收割
专利号: JP1981138975A, 申请日期: 1981-10-29, 公开日期: 1981-10-29
作者:  KOBAYASHI TETSUO
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Stripe-geometry double heterojunction laser element 专利  OAI收割
专利号: US4282494, 申请日期: 1981-08-04, 公开日期: 1981-08-04
作者:  YONEZU, HIROO;  UENO, MASAYASU
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26
Method of growing a group III-V compound epitaxial second layer from the liquid phase on an Al-containing group III-V compound layer 专利  OAI收割
专利号: EP0031808A2, 申请日期: 1981-07-08, 公开日期: 1981-07-08
作者:  LOGAN, RALPH ANDRE;  TSANG, WON-TIEN
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Strip buried heterostructure laser 专利  OAI收割
专利号: US4269635, 申请日期: 1981-05-26, 公开日期: 1981-05-26
作者:  LOGAN, RALPH A.;  TSANG, WON-TIEN
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26
Electroluminescent semiconductor device and process for its production 专利  OAI收割
专利号: EP0022486A1, 申请日期: 1981-01-21, 公开日期: 1981-01-21
作者:  DAHLBERG, REINHARD, DR.
  |  收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31
Coherent semiconductor injection laser array 专利  OAI收割
专利号: US4246548, 申请日期: 1981-01-20, 公开日期: 1981-01-20
作者:  RUTZ, ELISABETH M.
  |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/23
Method of modulating semiconductor laser at high speed 专利  OAI收割
专利号: JP1981001590A, 申请日期: 1981-01-09, 公开日期: 1981-01-09
作者:  ROI RANGU
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一种光电倍增管高压电源 期刊论文  OAI收割
电子技术, 1981, 期号: 2, 页码: 31-32
李昌厚; 李培鸿; 孙吟秋
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/06/21
The Visible Fluorescence Dynamics of Bci3 Induced By High-Power Infrared-Laser Radiation 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS, 1981, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 98-109
作者:  Xu JR;  Jiang YF;  Huang NT;  Lin GH(林光海)
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/01/11
Development of high-power laser system for laser-fusion research. 期刊论文  OAI收割
ieee j. quantum electron., 1981, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 1650, 1653
邓锡铭; 余文炎.
收藏  |  浏览/下载：797/159  |  提交时间：2009/09/18