机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [3]

学科主题

• 半导体化学 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体化学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect evolution and accompanied change of electrical properties during the GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2009, 卷号: 487, 期号: 1-2, 页码: 400-403 作者:  Zhang SM;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Guo X;  Wang YT 收藏  |  浏览/下载：165/33  |  提交时间：2010/03/08 Nitride materials   Promoting strain relaxation of Si0.72Ge0.28 film on Si (100) substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 part 2 Zhou ZW; Cai ZM; Li C; Lai HK; Chen SY; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/03/08 Relaxed buffer   Zn2SiO4/ZnO Core/Shell Coaxial Heterostructure Nanobelts Formed by an Epitaxial Growth 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry c, 2008, 卷号: 112, 期号: 42, 页码: 16312-16317 Cheng BC; Yu XM; Liu HJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/08 LOW-TEMPERATURE GROWTH   Annihilation of deep level defects in InP through high temperature annealing 期刊论文  OAI收割 journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 39847, 页码: 551-554 Zhao, YW; Dong, ZY 收藏  |  浏览/下载：39/2  |  提交时间：2010/03/08 defect