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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2002 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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限定条件
学科主题:半导体材料
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Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Zhao DG
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
etching
metalorganic vapor-phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
DISLOCATIONS
DENSITY
GROWTH
LAYERS