机构

• 新疆理化技术研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2005 [2]
• 2004 [1]

学科主题

• Engineerin... [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Engineering (provided by Thomson Reuters)     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应 期刊论文  OAI收割 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674 作者:  吴雪;  陆妩;  王义元;  胥佳灵;  张乐情 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 BiCMOS  模数转换器  剂量率  60Coγ辐照   电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应 期刊论文  OAI收割 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 603-607 作者:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  兰博 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/29 商用CCD  氧化物电荷  界面态  退火效应   运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29 运算放大器  60Coγ辐照  退火  剂量率效应   JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文  OAI收割 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/29 JFET输入双极运算放大器  60Coγ辐照  剂量率效应  退火   高补偿硅的光敏感特性 期刊论文  OAI收割 电子元件与材料, 2004, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 20-22 作者:  张建;  巴维真;  陈朝阳;  丛秀云;  陶明德 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2012/11/29 p型单晶硅  掺杂锰  高补偿硅  光敏感特性