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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1998 [1]
1996 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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限定条件
学科主题:半导体物理
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Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
OAI收割
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
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提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
Photoluminescence studies of GaAs/AlGaAs single quantum well intermixed by Ga+ ion implantation
期刊论文
OAI收割
solid state communications, 1996, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 1039-1042
Sai N
;
Zheng BZ
;
Xu JZ
;
Zhang PH
;
Yang XP
;
Xu ZY
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提交时间:2010/11/17
quantum wells
intermixing
photoluminescence
INTERDIFFUSION
WIRES