中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
学科主题
光电子学 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 22, 页码: art. no. 221906
Huang J
;
Xu K
;
Gong XJ
;
Wang JF
;
Fan YM
;
Liu JQ
;
Zeng XH
;
Ren GQ
;
Zhou TF
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:54/1
  |  
提交时间:2011/07/06
BERKOVICH NANOINDENTATION
THIN-FILMS
INDENTATION
MECHANISMS
EPILAYERS
Mechanical Deformation Behavior of Nonpolar GaN Thick Films by Berkovich Nanoindentation
期刊论文
OAI收割
nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 753-757
作者:
Duan RF
;
Wei TB
收藏
  |  
浏览/下载:96/0
  |  
提交时间:2010/03/08
GaN
Nonpolar
HVPE
Nanoindentation
Cathodoluminescence
Raman mapping