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• 光电技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：光电技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The effect of the surface energy and structure of the SiC substrate on epitaxial graphene growth 期刊论文  OAI收割 RSC Advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 103, 页码: 100908-100915 作者:  Sun, Li;  Chen, Xiufang;  Yu, Wancheng;  Sun, Honggang;  Zhao, Xian   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/06/14 Atomic Force Microscopy  Interfacial Energy  Microelectronics  Silicon  Silicon Carbide