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• 半导体研究所 [16]

采集方式

• OAI收割 [16]

内容类型

• 期刊论文 [14]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2011 [3]
• 2010 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [16]

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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 463 Li, TF; Chen, YH; Lei, W; Zhou, XL; Luo, S; Hu, YZ; Wang, LJ; Yang, T; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06 RAMAN-SCATTERING  SEMICONDUCTING NANOWIRES  OPTOELECTRONIC DEVICES  PHOSPHIDE NANOWIRES  OPTICAL PHONONS  SILICON  CRYSTALS  SPECTRA   High-power quantum dot superluminescent diode with integrated optical amplifier section 期刊论文  OAI收割 electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1191- Wang, ZC; Jin, P; Lv, XQ; Li, XK; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  SPECTRUM   Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/15 LIGHT-EMITTING-DIODES  OPTICAL-PROPERTIES  TUNING RANGE  NM  EMISSION  SPECTRUM  SPECTROSCOPY   Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot with high and low areal density 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: art. no. 485102 Zhou XL (Zhou X. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Jia CH (Jia C. H.); Ye XL (Ye X. L.); Xu B (Xu Bo); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/12/12 DEPENDENCE  SPECTRA   Design and characteristics of quantum cascade laser-based CO detection system 期刊论文  OAI收割 sensors and actuators b-chemical, 2009, 卷号: 142, 期号: 1, 页码: 33-38 Li L; Cao; F; Wang YD; Cong ML; Li L; An YP; Song ZY; Guo SX; Liu FQ; Wang LJ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/05 CO  QC laser  Optical detection systems  Absorption spectroscopy  Chemical sensors  ABSORPTION-SPECTROSCOPY  GAS-DETECTION  NITRIC-OXIDE  MU-M  SENSOR  OXYGEN   Porous ZnAl2O4 spinel nanorods doped with Eu3+: synthesis and photoluminescence 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 2982-2987 Cheng BC; Qu SC; Zhou HY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2010/04/11 SPRAY-PYROLYSIS TECHNIQUE  SOL-GEL PROCESS  ZINC ALUMINATE  OPTICAL-PROPERTIES  CATHODOLUMINESCENT CHARACTERISTICS  HYDROTHERMAL SYNTHESIS  NANOCRYSTALLINE  COMBUSTION  SPECTRA  METHANE   InAs/GaAs quantum-dot superluminescent diodes with 110 nm bandwidth 期刊论文  OAI收割 electronics letters, 2005, 卷号: 41, 期号: 25, 页码: 1400-1402 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 SPECTRUM   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文  OAI收割 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  quantum dots  strain  molecular beam epitaxy  superluminescent diodes  1.3 MU-M  HIGH-POWER  INTEGRATED ABSORBER  INAS ISLANDS  SPECTRUM  WINDOW  LAYER  SIZE   Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  ELECTRONIC-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  INTERDIFFUSION  TRANSITIONS  SPECTRA