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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Evidence and evolution of magnetic polaron in hgcr2se4 investigated by electron spin resonance 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics: condensed matter, 2018, 卷号: 30, 期号: 25 作者:  Li,Lailai;  Yan,Li-Qin;  Shi,Youguo;  Lu,Peipei;  Sun,Young 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/09 Hgcr2se4  Electron spin resonance  Magnetic polarons   Spin correlations and colossal magnetoresistance in HgCr2Se4 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2016, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: 1-11 作者:  Lin, Chaojing;  Yi, Changjiang;  Shi, Youguo;  Zhang, Lei;  Zhang, Guangming 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/11/23 Evidence for Half-Metallicity in n-type HgCr2Se4 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2015, 卷号: 115, 期号: 8 Guan, T; Lin, CJ; Yang, CL; Shi, YG; Ren, C; Li, YQ; Weng, HM; Dai, X; Fang, Z 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/12/26 Anomalous Behavior of Low Temperature Specific Heat in HgCr2Se4 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS, 2013, 卷号: 171, 期号: 1-2, 页码: 127 Wang, WD; Li, A; Dong, T; Lei, M; Fu, XL; Miao, SS; Zheng, P; Wang, P; Shi, YG; Luo, JL; Wang, NL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2014/01/16 Low temperature specific heat  Anomalous behavior  Schottky anomal   Multi-Weyl Topological Semimetals Stabilized by Point Group Symmetry 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2012, 卷号: 108, 期号: 26 Fang, C; Gilbert, MJ; Dai, X; Bernevig, BA 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/18 Density-functional-theory investigation of pressure induced semiconductor-metal transitions in the ferromagnetic semiconductor HgCr2Se4 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2012, 卷号: 24, 期号: 4 Guo, SD; Liu, BG 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17 SPINELS  MAGNETORESISTANCE   Chern Semimetal and the Quantized Anomalous Hall Effect in HgCr2Se4 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2011, 卷号: 107, 期号: 18 Xu, G; Weng, HM; Wang, ZJ; Dai, X; Fang, Z 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2013/09/17 SEMICONDUCTOR HGCR2SE4  FERROMAGNETIC SPINELS  MOMENTUM-SPACE  MAGNETORESISTANCE  CONDUCTANCE   Extraneous semiconductor joining matter and its preparation 专利  OAI收割 专利号: JP1980044721A, 申请日期: 1980-03-29, 公开日期: 1980-03-29 作者:  OGUCHI NOBUYUKI;  MASUMOTO TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18