机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2009 [1]
• 2007 [1]
• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Short period inas/gasb superlattice infrared detector on gaas substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 165-+ 作者:  Guo Jie;  Peng Zhen-Yu;  Lu Zheng-Xiong;  Sun Wei-Guo;  Hao Rui-Ting 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Superlattice  Inas/gasb infrared detector  Molecular-beam epitaxy (mbe)  Spectral response   Hyperfine spectral structure of semiconductor lasers 期刊论文  iSwitch采集 Physical review a, 2007, 卷号: 76, 期号: 6, 页码: 5 作者:  Zhu, Ning Hua;  Wen, Ji Min;  Chen, Wei;  Xie, Liang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Movpe growth of grade-strained bulk ingaas/inp for broad-band optoelectronic device applications 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 464-468 作者:  Wang, SR;  Wang, W;  Zhu, HL;  Zhao, LJ;  Zhang, RY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Graded-strain  High resolution x-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  Ingaas  Broadband semiconductor optoelectronic device