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  • 专利 [2]
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  • 2006 [2]
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Absorbing layers for reduced spontaneous emission effects in an integrated photodiode 专利  OAI收割
专利号: WO2006074011A3, 申请日期: 2006-07-13, 公开日期: 2006-07-13
作者:  
GUENTER, JAMES, K.;  TATUM, JIMMY, A.;  BIARD, JAMES, R.
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LOW TEMPERATURE GROWN LAYERS WITH MIGRATION ENHANCED EPITAXY ADJACENT TO AN InGaAsN(Sb) BASED ACTIVE REGION 专利  OAI收割
专利号: WO2006026610A3, 申请日期: 2006-07-06, 公开日期: 2006-07-06
作者:  
JOHNSON RALPH
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