机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 会议论文 [2]

发表日期

• 2009 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2009    内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文  OAI收割 5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY