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  • 专利 [1]
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  • 2014 [1]
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Group III nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating group III nitride semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: US8872156, 申请日期: 2014-10-28, 公开日期: 2014-10-28
作者:  YONEMURA, TAKUMI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI
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