机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2007 [5]

学科主题

• 半导体材料 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2007     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The correlation between preferred orientation and performance of ITO thin films 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2007, 卷号: 18 suppl.1, 期号: 0, 页码: s411-s414 Chen Y (Chen Yao); Zhou YQ (Zhou Yuqin); Zhang QF (Zhang Qunfang); Zhu MF (Zhu Meifang); Liu FZ (Liu Fengzhen) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/03/29 ELECTRICAL-PROPERTIES   Columnar structures and stress relaxation in thick GaN films grown on sapphire by HVPE 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 822-824 Wei TB (Wei Tong-Bo); Ma P (Ma Ping); Duan RF (Duan Rui-Fei); Wang JX (Wang Jun-Xi); Li JM (Li Jin-Min); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/29 VAPOR-PHASE EPITAXY   Simulation of In0.65Ga0.35N single-junction solar cell 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7335-7338 Zhang, X; Wang, X; Xiao, H; Yang, C; Ran, J; Wang, C; Hou, Q; Li, J 收藏  |  浏览/下载：139/1  |  提交时间：2010/03/08 BAND-GAP  INN   Cathodoluminescence and Raman research of V-shape inverted pyramid in HVPE grown GaN film 期刊论文  OAI收割 materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 18, 页码: 3882-3885 作者:  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN   Characterization of free-standing GaN substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a TiN interlayer 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 18, 页码: 7423-7428 作者:  Duan RF;  Wei TB 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN