中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
发表日期:2001
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 516-520
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
收藏
  |  
浏览/下载:82/10
  |  
提交时间:2010/08/12
adsorption
characterization
radiation
molecular beam epitaxy
nitrides
SURFACE-EMITTING LASER
QUANTUM-WELLS
OPERATION
RANGE