中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
  • 专利 [1]
发表日期
学科主题
  • 半导体材料 [1]
筛选

浏览/检索结果: 共1条,第1-1条 帮助

限定条件        
条数/页: 排序方式:
缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏
收藏  |