中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2014 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
发表日期:2014
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Numerical simulation of two-dimensional electron gas characteristics of a novel (InxAl1-xN/AlN)MQWs/GaN high electron mobility transistor
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2014, 卷号: 605, 页码: 113-117
Li, W
;
Wang, XL
;
Qu, SQ
;
Wang, Q
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Peng, EC
;
Hou, X
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2015/03/25
First-principles study of structural, elastic and lattice dynamical properties of chalcopyrite BeSiV2 and MgSiV2 (V = P, As, Sb)
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2014, 卷号: 611, 页码: 210-218
Shi, LW
;
Hu, J
;
Qin, Y
;
Duan, YF
;
Wu, L
;
Yang, XQ
;
Tang, G
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2015/03/25