机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 会议论文 [4]

发表日期

• 2008 [1]
• 2001 [1]
• 2000 [1]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  laser diodes  WELL LASERS   MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文  OAI收割 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Zhao DG;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/10/29 MOCVD  GaN  InGaN  cubic  LED  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  INGAN FILMS  ELECTROLUMINESCENCE  ZINCBLENDE  WURTZITE  MBE   MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4 会议论文  OAI收割 2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997 Duan SK; Teng XG; Wang YT; Li GH; Jiang HX; Han P; Lu DC 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/15 GaN  MgAl2O4  MOVPE  LED  DIODES