机构

• 上海微系统与信息技术... [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 1995 [1]

学科主题

• Applied [2]
• Physics [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    学科主题：Applied     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101 Zhang,B; Yu,W; Zhao,QT; Mussler,G; Jin,L; Buca,D; Hollander,B; Hartmann,JM; Zhang,M; Wang,X; Mantl,S 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/04/10 AMER INST PHYSICS   REACTIVE DEPOSITION EPITAXIAL-GROWTH OF BETA-FESI2 FILM ON SI(111) - IN-SITU OBSERVATION BY REFLECTIVE HIGH-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1995, 卷号: 66, 期号: 25, 页码: 3453-3455 WANG,LW; LIN,CG; SHEN,QW; LIN,X; NI,RS; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/25 001 SILICON