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  • 专利 [3]
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  • 2007 [3]
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Semiconductor laser device and fabrication method thereof 专利  OAI收割
专利号: US7170102, 申请日期: 2007-01-30, 公开日期: 2007-01-30
作者:  
TSUJI, MAKOTO
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两自由度岩石研磨机构 专利  OAI收割
专利类型: 实用新型, 专利号: CN2858180Y, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2007-01-17
作者:  
李斌;  王越超;  刘金国;  马书根
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2013/10/15
三自由度岩石研磨机构 专利  OAI收割
专利类型: 实用新型, 专利号: CN2858179Y, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2007-01-17
作者:  
李斌;  王越超;  刘金国;  马书根
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2013/10/15