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上海技术物理研究所 [30]
采集方式
OAI收割 [30]
内容类型
学位论文 [30]
发表日期
2012 [5]
2011 [4]
2010 [2]
2009 [1]
2008 [5]
2007 [3]
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学科主题
红外探测材料与器件 [17]
红外基础研究 [12]
红外系统与元部件 [1]
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内容类型:学位论文
专题:上海技术物理研究所
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太赫兹波差频产生与太赫兹波热探测的研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
陆金星
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/09/11
太赫兹波
非线性光学差频
硒化镓
热探测器
碲镉汞
中波红外InAsSb薄膜的LPE生长、特性研究和器件工艺探索
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
王奇伟
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/09/11
Inassb
液相外延
中波红外
电学输运
离子注入
碲镉汞光伏探测器光电性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
陈勇国
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/09/11
Hgcdte红外探测器
激光束诱导电流(lbic)
数值模拟
光敏元
窄禁带半导体InGaAs和HgCdTe的磁输运性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
魏来明
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提交时间:2012/09/11
自旋电子学
有效质量
有效g因子
反局域效应
退相干时间
CdZnTe基HgCdTe分子束外延工艺研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
王伟强
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提交时间:2012/09/11
碲镉汞(hgcdte)
分子束外延(mbe)
碲锌镉(cdznte)
Epd
碲镉汞电子雪崩光电探测器制备技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李海滨
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提交时间:2012/09/11
碲镉汞
电子型雪崩光电二极管
金属半导体接触
Pn结几何尺寸
As掺长波碲镉汞
离子注入退火
HgMnTe窄禁带磁性半导体和GaInP多量子阱的磁光电性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
朱亮清
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提交时间:2012/09/11
Hgmnte磁性半导体
Fuorier变换红外光谱
Kp微扰理论
束缚磁极化子
Gainp应变量子阱
碲镉汞薄膜及InAs/GaAs量子点红外调制光谱研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
马丽丽
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提交时间:2012/08/22
碲镉汞
Inas自组织量子点
光致发光谱
调制反射光谱
光谱分辨率
碲镉汞红外探测器薄膜附着力的评价研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
钱大憨
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提交时间:2012/09/11
碲镉汞红外探测器
薄膜附着力
附着力测试方法
碲镉汞红外探测功能结构的光电性能研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
殷菲
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/09/11
碲镉汞红外探测器
暗电流特性
激光束诱导电流
光调制霍尔
光电导谱