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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：学位论文    专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 AlN材料中缺陷调控及物性研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019 作者:  贲建伟   |  收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2020/08/24 AlN  表面/界面  MOCVD  高温热处理  折射率   AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019 作者:  蒋科   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2020/08/24 AlN  AlGaN  类同质外延  日盲紫外探测器   V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者:  付英昊   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/09/23 氮化镓  金属有机物气相沉积  V形坑缺陷   背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者:  韩五月   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/09/23 光电探测器  日盲紫外  AlGaN材料  金属有机化学气相沉积  金属-绝缘层-半导体结构   石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院大学, 2015 作者:  徐昌一 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2016/04/11 石墨烯  GaN  探测器  MOCVD  肖特基接触   InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院大学, 2014 韩智明 收藏  |  浏览/下载：218/0  |  提交时间：2015/05/03 金属有机化合物化学气相淀积  两步生长法  铟镓砷  砷化镓  缓冲层   基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院大学, 2014 胡光冲 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2015/05/03 MgZnO  深紫外  等离子体  MOCVD   局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院大学, 2014 包广宏 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2015/05/03 AlGaN日盲紫外探测器  表面等离激元  Al颗粒制备   AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院大学, 2014 作者:  陈一仁 收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2014/08/21 MgZnO薄膜掺杂及其紫外探测器研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院大学, 2014 李超群 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2014/08/21