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AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
蒋科
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提交时间:2020/08/24
AlN
AlGaN
类同质外延
日盲紫外探测器
背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
韩五月
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提交时间:2019/09/23
光电探测器
日盲紫外
AlGaN材料
金属有机化学气相沉积
金属-绝缘层-半导体结构
局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院大学, 2014
包广宏
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提交时间:2015/05/03
AlGaN日盲紫外探测器
表面等离激元
Al颗粒制备
AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院大学, 2014
作者:
陈一仁
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提交时间:2014/08/21
高Al组分AlGaN日盲紫外光电器件的辐射效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2013
作者:
张孝富
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/06/05
Algan 光电材料
P-i-n 光电二极管
肖特基光电二极管
60coγ射线辐照
电子辐照
结合AlGaN和PVDF的新型日盲紫外探测器的研究
期刊论文
OAI收割
红外与激光工程, 2013, 卷号: 42, 期号: 11
作者:
刘秀娟
;
李超
;
王建禄
;
张燕
;
孙璟兰
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提交时间:2014/11/05
Algan
日盲探测器
Pvdf
热释电效应
60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 331-336
作者:
张孝富
;
李豫东
;
郭旗
;
罗木昌
;
何承发
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2013/05/24
高铝组分AlxGa1-xN
γ射线辐射效应
理想因子
欧姆接触
具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN200910306624.5, 申请日期: 2012-12-05, 公开日期: 2010-02-03
作者:
白云
;
麻芃
;
刘键
;
朱杰
;
饶志鹏
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提交时间:2010/11/26
AlGaN p-i-n型日盲探测器及AlGaN/PZT紫外/红外双色器件研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李超
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提交时间:2012/09/11
吸收系数
欧姆接触
二维空穴气
Algan P-i-n型日盲探测器
紫外/红外双色
平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
包西昌
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/09/11
平面型gan基紫外探测器
器件制备
离子注入
电容特性
负微分电容