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新疆理化技术研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2017 [3]
学科主题
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共3条,第1-3条
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专题:新疆理化技术研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2017
条数/页:
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Analysis of proton and gamma-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 1-5
作者:
Ma, LD (Ma, Lindong)
;
Li, YD (Li, Yudong)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Zhou, D (Zhou, Dong)
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提交时间:2018/01/08
Complementary Metal-oxide-semiconductor (Cmos) Active Pixel Sensor
Dark Current
Fixed-pattern Noise
Quantum Efficiency
Electron irradiation study of room-temperature wafer-bonded four junction solar cell grown by MBE
期刊论文
OAI收割
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2017, 卷号: 171, 期号: 11, 页码: 118-122
作者:
Dai, P (Dai, Pan)
;
Ji, L (Ji, Lian)
;
Tan, M (Tan, Ming)
;
Uchida, S (Uchida, Shiro)
;
Wu, YY (Wu, Yuanyuan)
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提交时间:2017/11/30
Electron Irradiation
Four-junction Solar Cell
Molecular Beam Epitaxy
Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector
期刊论文
OAI收割
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2017, 卷号: 139, 期号: 10, 页码: 11-16
作者:
Sun, J (Sun Jing)[ 1,2 ]
;
Guo, Q (Guo Qi)[ 1 ]
;
Yu, X (Yu Xin)[ 1,2 ]
;
He, CF (He Cheng-Fa)[ 1 ]
;
Shi, WL (Shi Wei-Lei)[ 1 ]
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提交时间:2019/07/10
Displacement damage
NIEL
P-i-n photodiode
Damage enhancement factor