中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
新疆理化技术研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2021 [2]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
专题:新疆理化技术研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2021
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors
期刊论文
OAI收割
CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2021, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 180-184
作者:
Liu, BK (Liu Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng Jie)[ 1,2 ]
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2021/05/10
Backside‐
illuminated CMOS image sensors
Dark signal behaviors
Displacement damage effects
Neutron irradiation
Mechanism of Ionization Damage in Large Eight-Transistor Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Color Image Sensors
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 1755-1761
作者:
Feng, J (Feng, Jie) [1] , [2]
;
Fu, J (Fu, Jing) [1] , [2] , [3]
;
Li, YD (Li, Yu-Dong) [1] , [2]
;
Wen, L (Wen, Lin) [1] , [2]
;
Guo, Q (Guo, Qi) [1] , [2]
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2022/03/24
CMOS Color Image Sensor
Ionization Damage
Radiation-Sensitive Parameters