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上海微系统与信息技... [37]
采集方式
OAI收割 [37]
内容类型
期刊论文 [37]
发表日期
2010 [37]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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发表日期:2010
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Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 80212-80212
Ren, K
;
Rao, F
;
Song, ZT
;
Wu, LC
;
Zhou, XL
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Xi, W
;
Chen, B
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提交时间:2012/03/24
SB2TE3
FILMS
ALLOYS
Nanoscale Tapered Pt Bottom Electrode Fabricated by FIB for Low Power and Highly Stable Operations of Phase Change Memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 28401-28401
Lv, SL
;
Song, ZT
;
Liu, Y
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
FOCUSED ION-BEAMS
Low-Consumption Phase Change Material with Good Data Retention Selected from SbxTe
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 7040-7044
Gu, YF
;
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
SB
CRYSTALLIZATION
FILMS
Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 80212
Ren, K
;
Rao, F
;
Song, ZT
;
Wu, LC
;
Zhou, XL
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Xi, W
;
Chen, B
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提交时间:2012/03/24
Physics
Applied
Ge2Sb2Te5 Phase Change Memory Cell Featuring Platinum Tapered Heating Electrode For Low-Voltage Operation
期刊论文
OAI收割
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: -
Lv, SL
;
Song, ZT
;
Liu, Y
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
FOCUSED ION-BEAMS
TECHNOLOGY
Sb2Te3-Ta2O5 nano-composite films for low-power phase-change memory application
期刊论文
OAI收割
MATERIALS LETTERS, 2010, 卷号: 64, 期号: 24, 页码: 2728-2730
Song, SN
;
Song, ZT
;
Lu, YG
;
Liu, B
;
Wu, LC
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
TRANSITIONS
GE2SB2TE5
Phase Change Memory Based on (Sb2Te3)(0.85)-(HfO2)(0.15) Composite Film
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2010, 卷号: 3, 期号: 11, 页码: 111201-111201
Lu, YG
;
Song, SN
;
Song, ZT
;
Yao, DN
;
Xi, W
;
Yin, WJ
;
Zheng, H
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
ELECTRICAL-PROPERTIES
CELL
Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 108101-108101
Ren, K
;
Rao, F
;
Song, ZT
;
Wu, LC
;
Zhou, XL
;
Xia, MJ
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Xi, W
;
Yao, DN
;
Chen, BM
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
FILMS
Novel phase-change material GeSbSe for application of three-level phase-change random access memory
期刊论文
OAI收割
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2010, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 443-446
Gu, YF
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Liu, B
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
FILMS
Characterization of the properties for phase-change material GeSb
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 205-209
Gu, YF
;
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, YB
;
Liu, B
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
CHANGE MEMORY
GE2SB2TE5