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  • 新疆理化技术研究所 [49]
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磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者:  周书星1;  方仁凤1;  魏彦锋1;  陈传亮1;  曹文彧1
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碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  杨圣
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一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法 专利  OAI收割
申请日期: 2021-02-19,
作者:  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  李豫东;  郭旗
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模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应 期刊论文  OAI收割
辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 93-98
作者:  相传峰1,2,3;  姚帅2,3,4;  于新2,3;  李小龙2,3;  陆妩1,2,3
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背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  张翔
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稀氮（Ga(In)AsN）材料的位移损伤效应研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  雷琪琪
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一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法 专利  OAI收割
申请日期: 2020-04-14,
作者:  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  陆妩;  孙静
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CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展 期刊论文  OAI收割
核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 50-58
作者:  蔡毓龙;  李豫东;  文林;  郭旗
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电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真 期刊论文  OAI收割
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:  魏莹;  文林;  李豫东;  郭旗
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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
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