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• 微电子研究所 [6]
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采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 专利 [12]

发表日期

• 2018 [2]
• 2017 [1]
• 2013 [2]
• 2012 [2]
• 2011 [2]
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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30 作者:  王桂磊;  崔虎山;  殷华湘;  李俊峰;  朱慧珑   |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/03/26 一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN108933382A, 申请日期: 2018-12-04, 公开日期: 2018-12-04 作者:  杨帆;  胡忞远;  赵建宜;  阳红涛;  刘应军   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 一种激光焊接系统及方法 专利  OAI收割 专利号: CN107398645A, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2017-11-28 作者:  刘昊;  郑国强;  李博;  刘继国;  谢泽楷   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/31 光电装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN102122675B, 申请日期: 2013-04-17, 公开日期: 2013-04-17 作者:  安东尼·J·罗特费尔德   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 一种可提高图形深宽比的纳米压印方法及其产品 专利  OAI收割 专利号: CN102910579A, 申请日期: 2013-02-06, 公开日期: 2013-02-06 作者:  王智浩;  刘文;  孙堂友;  左强   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化硅高深宽比孔的循环刻蚀方法 专利  OAI收割 申请日期: 2012-07-29, 作者:  孟令款   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2018/04/10 氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法 专利  OAI收割 申请日期: 2012-07-03, 作者:  孟令款   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2018/04/03 一种高密度导电通道基板及其制造方法 专利  OAI收割 申请日期: 2011-05-19, 公开日期: 2012-11-20 作者:  于中尧   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/11/20 一种高密度凸点基板及其制造方法 专利  OAI收割 申请日期: 2011-05-19, 公开日期: 2012-11-20 作者:  于中尧   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/20 基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺 专利  OAI收割 专利号: CN200410101873.8, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2006-07-12 作者:  谢常青;  叶甜春;  陈大鹏   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26