中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
上海技术物理研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
学位论文 [4]
期刊论文 [1]
发表日期
2013 [1]
2012 [1]
2011 [1]
2010 [1]
2008 [1]
学科主题
红外探测材料与器件 [3]
红外基础研究 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
专题:上海技术物理研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
结合AlGaN和PVDF的新型日盲紫外探测器的研究
期刊论文
OAI收割
红外与激光工程, 2013, 卷号: 42, 期号: 11
作者:
刘秀娟
;
李超
;
王建禄
;
张燕
;
孙璟兰
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2014/11/05
Algan
日盲探测器
Pvdf
热释电效应
氮化镓基半导体发光二极管的光电和热学特性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
程立文
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2012/09/11
氮化镓基发光二极管
器件模拟
多层势垒结构
表面粗化
可靠性
AlGaN p-i-n型日盲探测器及AlGaN/PZT紫外/红外双色器件研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李超
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2012/09/11
吸收系数
欧姆接触
二维空穴气
Algan P-i-n型日盲探测器
紫外/红外双色
GaN基光电器件中雪崩倍增效应及应用
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
王玲
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2012/09/11
Gan基材料
雪崩光电二极管
异质结
欧姆接触
钝化
稀氮III-N-V半导体及InAs量子点的分子束外延生长和性能研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
刘昭麟
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/08/22
分子束外延
稀氮半导体
氮等离子体
Ga(In)Nas
Gansb
Inas量子点
光致发光谱
光调制反射光谱
原子力显微分析
快速热退火
质子注入
局域态
价带分裂
晶格弛豫
声子相关长度
态填充效应