中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [387]
西安光学精密机械... [193]
苏州纳米技术与纳... [112]
微电子研究所 [101]
长春光学精密机械与... [58]
物理研究所 [55]
更多
采集方式
OAI收割 [962]
iSwitch采集 [88]
内容类型
期刊论文 [703]
专利 [223]
学位论文 [79]
会议论文 [38]
外文期刊 [4]
成果 [3]
更多
发表日期
2021 [25]
2020 [34]
2019 [28]
2018 [57]
2017 [37]
2016 [37]
更多
学科主题
半导体材料 [149]
光电子学 [61]
半导体器件 [33]
半导体物理 [25]
红外探测材料与器件 [15]
微电子学 [8]
更多
筛选
浏览/检索结果:
共1050条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Atomistic Insights on Surface Quality Control via Annealing Process in AlGaN Thin Film Growth
期刊论文
OAI收割
NANOMATERIALS, 2023, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 1382
作者:
Peng Q(彭庆)
;
Ma ZW(马知未)
;
Cai, Shixian
;
Zhao S(赵帅)
;
Chen, Xiaojia
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2023/06/15
AlGaN thin film
molecular dynamics simulations
laser annealing
atomistic structure
Self-catalytic growth and characterization of AlGaN nanostructures with high Al composition
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2022, 页码: 9
作者:
Liu, Zitong
;
Shen, Longhai
;
Chen, Jianjin
;
Zhang, Xinglai
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2022/07/01
Effect of heavy ion irradiation on the interface traps of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Lin, Zheng-Zhao
;
Lu, Ling
;
Zheng, Xue-Feng
;
Cao, Yan-Rong
;
Hu, Pei-Pei
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2022/04/11
gallium nitride
radiation effects
defects
pulse testing
Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation
期刊论文
OAI收割
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
S. L. Zhang
;
Z. M. Shi
;
J. W. Ben
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2023/06/14
AlGaN UV Detector with Largely Enhanced Heat Dissipation on Mo Substrate Enabled by van der Waals Epitaxy
期刊论文
OAI收割
2022
作者:
Y. Chen
;
H. Zang
;
J. Ben
;
S. Zhang
;
K. Jiang
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2023/06/14
Recent advances in optoelectronic and microelectronic devices based on ultrawide-bandgap semiconductors
期刊论文
OAI收割
Progress in Quantum Electronics, 2022, 卷号: 83, 页码: 29
作者:
J. L. Yang
;
K. W. Liu
;
X. Chen and D. Z. Shen
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2023/06/14
Recent Progress on AlGaN Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes below 250 nm
期刊论文
OAI收割
Crystals, 2022, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 23
作者:
C. Y. Zhang
;
K. Jiang
;
X. J. Sun and D. B. Li
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2023/06/14
Regulating the valence level arrangement of high-Al-content AlGaN quantum wells using additional potentials with Mg doping
期刊论文
OAI收割
Physical Chemistry Chemical Physics, 2022, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5529-5538
作者:
S. Q. Lu
;
T. C. Zheng
;
K. Jiang
;
X. J. Sun
;
D. B. Li
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2023/06/14
Hybrid Ga2O3/AlGaN/GaN Ultraviolet Detector With Gate Metal in the Grooved AlGaN Layer for Obtaining Low Dark Current and Large Detectivity
期刊论文
OAI收割
Ieee Transactions on Electron Devices, 2022, 卷号: 69, 期号: 11, 页码: 6166-6170
作者:
Z. P. Liu
;
C. S. Chu
;
B. X. Wang
;
G. S. Huang
;
K. Jiang
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2023/06/14
The interface trap analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with temperature based on conductance method
期刊论文
OAI收割
Journal of Physics: Conference Series, 2022, 卷号: 2248, 期号: 1, 页码: 12016
作者:
Liang, Yongfeng
;
Zhang, Heqiu
;
Chen, Huanhuan
;
Xing, He
;
Cai, Tao
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2023/11/10