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上海技术物理研究所 [12]
采集方式
OAI收割 [12]
内容类型
学位论文 [12]
发表日期
2012 [1]
2010 [1]
2008 [2]
2007 [3]
2006 [3]
2005 [1]
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学科主题
红外探测材料与器件 [12]
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共12条,第1-10条
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学科主题:红外探测材料与器件
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碲镉汞电子雪崩探测器分子束外延材料基础研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
顾仁杰
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提交时间:2012/09/11
碲镉汞
雪崩光电二极管
分子束外延
热处理对P型碲镉汞液相外延材料的影响
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
李艳鹏
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提交时间:2012/09/11
Hgcdte
液相外延
As掺杂
Hg空位
红外透射光谱
表面组分
HgCdTe材料p型掺杂及相关电学性质
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
魏青竹
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提交时间:2012/08/22
分子束外延
Hgcdte
电学性质
少子寿命
Si基HgCdTe液相外延技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
徐庆庆
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提交时间:2012/08/14
Si基
液相外延
Hgcdte
氮化镓基雪崩光电二极管的研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
许金通
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提交时间:2012/08/14
氮化镓基雪崩光电二极管
湿法腐蚀
持续光电导
氮化镓基紫外探测器光电特性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
陈俊
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提交时间:2012/08/14
Algan/gan异质结构
欧姆接触
器件制备
极化效应
Schottky
短波HgCdTe材料欧姆接触的研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
杨晓阳
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提交时间:2012/07/11
碲镉汞
霍耳效应
范德堡法
Labview
欧姆接触
正态分布
GaN基RCE紫外探测器设计及光敏区器件研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
何政
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提交时间:2012/07/11
Algan半导体
Rce紫外探测器
光导
Schottky
反射镜
GaN/AlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
游达
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提交时间:2012/07/11
Gan/algan异质结构
器件制备
Sio2钝化膜
Mis
极化效应
GaN基p-i-n紫外列阵探测器的制备与光电特性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
亢勇
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提交时间:2012/07/11
Gan基阵列紫外探测器
器件制备
Icp干法刻蚀
结电容频率特性
内量子效率