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• 期刊论文 [9]
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发表日期

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学科主题

• 半导体材料 [12]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016 Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW 收藏  |  浏览/下载：52/10  |  提交时间：2011/07/05 UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE  SELF-DIFFUSION  NATIVE DEFECTS  N-TYPE  CRYSTALS  CATHODOLUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY  LUMINESCENCE   Cluster scattering in two-dimensional electron gas investigated by Born approximation and partial-wave methods 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 543-546 Li ZW; Xu XQ; Wang J; Liu JM; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：67/8  |  提交时间：2011/07/05 IONIZED-IMPURITY-SCATTERING  COMPOSITIONAL INHOMOGENEITY  PHASE-SEPARATION  QUANTUM-WELLS  ALLOY  CATHODOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  TRANSPORT  MOBILITY   MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性 期刊论文  OAI收割 光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1454-1457 作者:  王保柱 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 射频分子束外延生长AlInGaN四元合金 期刊论文  OAI收割 无机材料学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  王保柱 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/23 Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN   Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by HVPE 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559 作者:  Duan RF;  Wei TB 收藏  |  浏览/下载：298/42  |  提交时间：2010/03/08 GaN  HVPE  Hillocks  Pits  Cathodoluminescence   半导体的检测与分析 专著  OAI收割 北京:科学出版社, 北京, 2007 许振嘉 收藏  |  浏览/下载：381/0  |  提交时间：2009/09/19 低压、气动旋转衬底座XG2-1型MOCVD装置 成果  OAI收割 2004 主要完成人:  高鸿楷;  何益民   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/06/27 Mocvd 气动旋转衬底座   Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：92/4  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  doping  surface structure  metalorgamc chemical vapor deposition  nitrides  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  FILMS  CATHODOLUMINESCENCE   Influence of precipitates on GaN epilayer quality 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 214-217 Kang JY; Huang QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 precipitate  GaN  WDS  TEM  cathodoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  MECHANISM  GROWTH