机构

• 半导体研究所 [14]

采集方式

• OAI收割 [9]
• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [13]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [2]
• 2010 [2]
• 2008 [4]
• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 2003 [3]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [5]
• 光电子学 [3]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in si/er-si-o multilayer structure 期刊论文  iSwitch采集 Materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265 作者:  Zheng, J.;  Zuo, Y. H.;  Wang, W.;  Tao, Y. L.;  Xue, C. L. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Multilayers  Inorganic compounds  Sputtering  Optical properties   Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer structure 期刊论文  OAI收割 materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05 Multilayers  Inorganic compounds  Sputtering  Optical properties  DOPED SI/SIO2 SUPERLATTICES  ERBIUM SILICATE  ER3+  LUMINESCENCE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE   Role of bi3+ ions for er3+ ions efficient 1.54 mu m light emission in er/bi codoped sio2 thin film prepared by sol-gel method 期刊论文  iSwitch采集 Journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 1760-1763 作者:  Zheng, J.;  Zuo, Y. H.;  Zhang, L. Z.;  Wang, W.;  Xue, C. L. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Energy transfer  Erbium  Bismuth   Role of Bi3+ ions for Er3+ ions efficient 1.54 mu m light emission in Er/Bi codoped SiO2 thin film prepared by sol-gel method 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 1760-1763 Zheng J (Zheng J.); Zuo YH (Zuo Y. H.); Zhang LZ (Zhang L. Z.); Wang W (Wang W.); Xue CL (Xue C. L.); Cheng BW (Cheng B. W.); Yu JZ (Yu J. Z.); Guo HQ (Guo H. Q.); Wang QM (Wang Q. M.) 收藏  |  浏览/下载：103/4  |  提交时间：2010/09/07 Photoluminescence  Energy transfer  Erbium  Bismuth   Electroluminescence from nano-crystalline si/sio2 structures embedded in pn junctions 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165 作者:  Chen, D. Y.;  Wang, X.;  Wei, D. Y.;  Wang, T.;  Xu, J. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Pecvd  Electroluminescence  P-i-n structures   Strong visible and infrared photoluminescence from er-implanted silicon nitride films 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: 4 作者:  Ding, W. C.;  Hu, D.;  Zheng, J.;  Chen, P.;  Cheng, B. W. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Doped polycrystalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for radio-frequency MEMS applications 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2269-2272 Zhao, YM; Sun, GS; Ning, J; Liu, XF; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Electroluminescence from nano-crystalline Si/SiO2 structures embedded in pn junctions 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165 Chen DY; Wang X; Wei DY; Wang T; Xu J; Ma ZY; Li W; Chen KJ; Shi WH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/08 PECVD   Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文  OAI收割 6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006 Sun, G (Sun, Guosheng); Ning, J (Ning, Jin); Liu, X (Liu, Xingfang); Zhao, Y (Zhao, Yongmei); Li, J (Li, Jiaye); Wang, L (Wang, Lei); Zhao, W (Zhao, Wanshun); Wang, L (Wang, Liang) 收藏  |  浏览/下载：87/29  |  提交时间：2010/03/29 polycrystalline 3C-SiC  resonator  doping  SILICON-CARBIDE   Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 ROOM-TEMPERATURE  SILICON  SEMICONDUCTORS  DISLOCATIONS  SPECTRA