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  • 半导体材料 [2]
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Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269
作者:  
Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM
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Al compositional inhomogeneity of AlGaN epilayer with a high Al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割
journal of physics-condensed matter, 2007, 卷号: 19, 期号: 17, 页码: art.no.176005
作者:  
Yang H;  Yang H;  Zhao DG;  Jiang DS
收藏  |  浏览/下载:53/0  |  提交时间:2010/03/29