机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 1999 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 564-567 Wang YS; Li JM; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 Si  SiC  carbonization  RHEED  single crystal epilayer  HYDROCARBON RADICALS  SI(001) SURFACE  BEAM  HETEROEPITAXIAL GROWTH