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• 西安光学精密机械研究... [7]

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发表日期

• 2015 [1]
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学科主题

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of Cu on properties of vitrified bond and vitrified CBN composites 期刊论文  OAI收割 international journal of refractory metals & hard materials, 2015, 卷号: 50, 页码: 269-273 作者:  Feng, Dandan;  Wu, Weijie;  Wang, Pengfei;  Zhu, Yumei;  Zhai, Chenxi 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/07/20 Cubic boron nitride (c-BN)  Vitrified bond  Thermal properties  Mechanical properties   Fabrication of high thermal conductive Al-cBN ceramic sinters by high temperature high pressure method 期刊论文  OAI收割 solid state sciences, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1041-1046 作者:  Wang, P. F.;  Li, Zh. H.;  Zhu, Y. M. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/10/08 High temperature high pressure sintering  Cubic boron nitride  Thermal conductivity  Heat sink materials   Group-III nitride semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same 专利  OAI收割 专利号: US20010036678A1, 申请日期: 2001-11-01, 公开日期: 2001-11-01 作者:  UDAGAWA, TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2804544B2, 申请日期: 1998-07-17, 公开日期: 1998-09-30 作者:  林 伸彦   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 Double hetero-junction structure and semiconductor laser element 专利  OAI收割 专利号: JP1992333291A, 申请日期: 1992-11-20, 公开日期: 1992-11-20 作者:  SHIBATA HAJIME;  MIHASHI YOSHINOBU;  KONDO HIDEKAZU;  OOTA TOMOHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 Multibeam semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1990257690A, 申请日期: 1990-10-18, 公开日期: 1990-10-18 作者:  TAKAMURA TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13 Heat sink using a sintered body having high heat-conductivity and method of manufacturing thereof 专利  OAI收割 专利号: EP0194358A1, 申请日期: 1986-09-17, 公开日期: 1986-09-17 作者:  SUMIYA, HITOSHI C/O ITAMI WORKS OF;  SATO,SHUICHI C/O ITAMI WORKS OF;  YAZU, SHUJI C/O ITAMI WORKS OF   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/30