机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [1]
• 2000 [1]
• 1998 [1]
• 1997 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [9]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of electron-hole spatial correlation on spin relaxation dynamics in InAs submonolayer 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2007, 卷号: 143, 期号: 3, 页码: 158-160 Sun Z; Xu ZY; Ruan,XZ; Ji Y; Sun BQ; Wang M; Ni HQ 收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2010/03/29 InAsSML   Deep centers investigations of P-HEMT functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 372-376 Lu LW; Zhang YH; Wang J; Ge W 收藏  |  浏览/下载：135/11  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy growth  P-HEMT and HEMT functional materials  deep centers  ALXGA1-XAS  EPITAXY  TRENDS   Detection of efficient carrier capture in ultrathin InAs/GaAs layers using a degenerate pump-probe technique 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 18, 页码: 3923-3930 Liu B; Li Q; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：113/10  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM DOTS  ZNSE MATRIX  GAAS  SPECTROSCOPY  RELAXATION   Experimental determination of local Strain effect on InAs/GaAs self-organized quantum dots 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 8, 页码: 5530-5534 Wang HL; Yang FH; Feng SL; Zhu HJ; Ning D; Wang H; Wang XD 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 ELECTRONIC-STRUCTURE  CARRIER RELAXATION  ENERGY-LEVELS  SPECTROSCOPY   Hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 14, 页码: 2024-2026 Nagai H; Zhu QS; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  DEEP LEVELS   Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble 会议论文  OAI收割 10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 GROWTH  TRANSITION  GAAS   Material transport in self-assembled InAs/GaAs quantum dot ensemble 期刊论文  OAI收割 physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 205-211 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 GROWTH  TRANSITION  GAAS   RELATION BETWEEN THE METASTABILITY OF EL2 AND THE PHOTOSENSITIVITY OF LOCAL VIBRATIONAL-MODES IN SEMIINSULATING GAAS 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1995, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 4864-4869 SONG CY; PAJOT B; GE WK; JIANG DS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/17 GALLIUM-ARSENIDE  OXYGEN  SPECTROSCOPY  ABSORPTION   SHEAR-DEFORMATION-POTENTIAL CONSTANT OF THE CONDUCTION-BAND MINIMA OF SI - EXPERIMENTAL-DETERMINATION BY THE DEEP-LEVEL CAPACITANCE TRANSIENT METHOD 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 17, 页码: 14040-14046 LI MF; ZHAO XS; GU ZQ; CHEN JX; LI YJ; WANG JQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 SILICON  SEMICONDUCTORS  CAPTURE  CENTERS  ELECTRONS  EMISSION