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浏览/检索结果: 共141条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 GaN基纳米线光电器件的研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者:  程成   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/05/24 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 smliu@semi.ac.cn 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/06/05 InGaN/GaN  多量子阱  太阳能电池  光电转换效率   (In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 闫俊达 收藏  |  浏览/下载：426/0  |  提交时间：2017/06/05 氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管   基于GaN材料的柔性发光薄膜器件制备工艺研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 綦成林 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/06/05 基于横向多孔GaN的光电器件研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者:  刘磊;  刘磊;  刘磊;  刘磊 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/06/02 图形化硅衬底氮化物外延及半极性发光器件 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 张璐 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/06/01 Si  GaN  湿法腐蚀  MOCVD  半极性面  多量子阱  正装结构LED   CVD法在GaN表面沉积石墨烯的制备技术研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 - 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/06/05 常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 黄宇亮 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/06/06 AlGaN/GaN  高电子迁移率晶体管  常关型  选区二次外延   绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘炜 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/06/01 GaN HEMT 基础问题研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 何晓光 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2016/06/02 GaN  HEMT  2DEG  MOCVD  高阻