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机构
上海微系统与信息技... [11]
上海技术物理研究所 [2]
金属研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [14]
内容类型
成果 [14]
发表日期
2010 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2004 [7]
2001 [1]
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学科主题
红外基础研究 [2]
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共14条,第1-10条
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内容类型:成果
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新型高K栅介质双沟道GaN基MOS-HEMT器件的栅极介质沉积工艺与电流坍塌效应的研究
成果
OAI收割
2010
主要完成人:
胡伟达
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收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2011/07/14
航天舱内LED照明用GaN基外延薄膜材料与器件特性研究
成果
OAI收割
2008
主要完成人:
陆卫
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收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2011/07/14
一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
成果
OAI收割
鉴定: 无, 2007
孙佳胤
;
陈静
;
王曦
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/04/12
一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
成果
OAI收割
鉴定: 无, 2006
王笑龙
;
于广辉
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/04/12
改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量方法
成果
OAI收割
鉴定: 无, 2006
于广辉
;
雷本亮
;
叶好华
;
齐鸣
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/04/12
氮化镓半导体中扩展缺陷的电子性质研究
成果
OAI收割
2004
王绍青
;
程大勇
;
张林
;
卞寿亮
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2013/07/24
氮化镓半导体
缺陷
电子性质
氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
成果
OAI收割
鉴定: 无, 2004
于广辉
;
雷本亮
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/04/12
用于厚膜GaN制备的HVPE设备
成果
OAI收割
鉴定: 无, 2004
于广辉
;
齐鸣
;
雷本亮
;
李爱珍
收藏
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浏览/下载:186/0
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提交时间:2013/04/12
2英寸厚膜GaN的HVPE方法制备(中科院)
成果
OAI收割
鉴定: 无, 2004
于广辉
;
李爱珍
;
齐鸣
;
雷本亮
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2013/04/12
改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
成果
OAI收割
鉴定: 无, 2004
于广辉
;
叶好华
;
雷本亮
;
齐鸣
;
李爱珍
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/04/12