机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 会议论文 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2001 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：99/8  |  提交时间：2010/08/12 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS