机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2006 [1]
• 2003 [1]
• 1994 [1]
• 1993 [1]

学科主题

• 半导体物理 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435 Zhou SQ; Wu MF; Yao SD; Liu JP; Yang H 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 nitride semiconductors  interface  Rutherford backscattering/channeling  transmission electron microscopy  x-ray diffraction  SUPER-LATTICES  STRAIN  GAN   RBS/channeling study and photoluminscence properties of Er-implanted GaN 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2558-2562 Song SF; Zhou SQ; Chen WD; Zhu JJ; Chen CY; Xu ZJ 收藏  |  浏览/下载：234/3  |  提交时间：2010/08/12 GaN  erbium  Raman back scattering  photoluminscence  DOPED GAN  ERBIUM  PHOTOLUMINESCENCE  ELECTROLUMINESCENCE   RBS STUDIES OF THE LATTICE DAMAGE CAUSED BY 1 MEV SI+ IMPLANTATION INTO AL0.3GA0.7AS/GAAS SUPERLATTICES AT ELEVATED-TEMPERATURE 期刊论文  OAI收割 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1994, 卷号: 90, 期号: 0, 页码: 392-395 XU TB; ZHU PR; ZHOU JS; LI DQ; GONG B; WAN Y; MU SM; ZHAO QT; WANG ZL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 ION-IMPLANTATION  AMORPHIZATION   STRUCTURAL DEFECTS AND THEIR ELECTRICAL-ACTIVITY IN GERMANIUM IMPLANTED SILICON 期刊论文  OAI收割 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1993, 卷号: 74, 期号: 0, 页码: 127-130 ZHANG JP; FAN TW; GWILLIAM RM; HEMMENT PLF; WEN JQ; QIAN Y; EFEOGLU H; EVANS JH; PEAKER AR 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15