机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2012 [2]
• 2008 [2]
• 2002 [1]
• 2000 [2]

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Large scale purification of metallurgical silicon for solar cell by using electron beam melting 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2012, 卷号: 351, 期号: 1, 页码: 19-22 Liu, T; Dong, ZY; Zhao, YW; Wang, J; Chen, T; Xie, H; Li, J; Ni, HJ; Huo, DX 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2013/03/17 Purification of metallurgical silicon through directional solidification in a large cold crucible 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2012, 卷号: 355, 期号: 1, 页码: 145-150 Liu T (Liu, Tong); Dong ZY (Dong, Zhiyuan); Zhao YW (Zhao, Youwen); Wang J (Wang, Jun); Chen T (Chen, Teng); Xie H (Xie, Hui); Li J (Li, Jian); Ni HJ (Ni, Haijiang); Huo DX (Huo, Dianxin) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/03/27 The formation and electronic structures of 3d transition-metal atoms doped in silicon nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 8, 页码: 6 作者:  Xu, Qiang;  Li, Jingbo;  Li, Shu-Shen;  Xia, Jian-Bai 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 The formation and electronic structures of 3d transition-metal atoms doped in silicon nanowires 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 8, 页码: art. no. 084307 Xu, Q; Li, JB; Li, SS; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：73/1  |  提交时间：2010/03/08 EXCHANGE INTERACTION  SEMICONDUCTORS  GAAS  ENERGIES  DOTS  MN   Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文  OAI收割 12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002 Chen NF; Zhong XG; Zhang M; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  FLOATING-ZONE GROWTH  CRYSTAL-GROWTH  ZERO GRAVITY  MICROGRAVITY  SEGREGATION  STOICHIOMETRY  SILICON  DEFECTS  INSB   The new exploration for proton-implanted silicon: the conversion of a surface-region-purification-induced p-n junction into a p-i-n electrical structure approaching silicon on insulator 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: L6-l9 作者:  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 The new exploration for proton-implanted silicon: the conversion of a surface-region-purification-induced p-n junction into a p-i-n electrical structure approaching silicon on insulator 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: l6-l9 Li JM 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 ION-IMPLANTATION  HYDROGEN  OXYGEN