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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2006 [1]
2003 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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限定条件
学科主题:半导体材料
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Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
OAI收割
12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
收藏
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浏览/下载:61/12
  |  
提交时间:2010/03/29
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
FE-DOPED INP
POINT-DEFECTS
COMPENSATION
TEMPERATURE
DONORS
TRAPS
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:291/4
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
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DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
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