机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2008 [4]

学科主题

• 半导体化学 [1]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2008     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of electron irradiation on hydrothermally grown zinc oxide single crystals 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 6 作者:  Lu, L. W.;  So, C. K.;  Zhu, C. Y.;  Gu, Q. L.;  Li, C. J. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Annihilation of deep level defects in inp through high temperature annealing 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 2-3, 页码: 551-554 作者:  Zhao, Y. W.;  Dong, Z. Y. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Defect   Influence of electron irradiation on hydrothermally grown zinc oxide single crystals 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: art. no. 095028 Lu LW; So CK; Zhu CY; Gu QL; Li CJ; Fung S; Brauer G; Anwand W; Skorupa W; Ling CC 收藏  |  浏览/下载：110/1  |  提交时间：2010/03/08 SCHOTTKY CONTACTS   Annihilation of deep level defects in InP through high temperature annealing 期刊论文  OAI收割 journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 39847, 页码: 551-554 Zhao, YW; Dong, ZY 收藏  |  浏览/下载：39/2  |  提交时间：2010/03/08 defect