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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2001 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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限定条件
学科主题:半导体物理
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Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511
Sheng SR
;
Liao XB
;
Kong GL
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提交时间:2010/08/12
CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD
A-SI-H
ABSORPTION
FILMS
SPECTROSCOPY
DEPOSITION
STABILITY
DILUTION