机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]
• 2006 [1]
• 1999 [2]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Fabrication and characterization of novel bicrystalline zno nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Journal of materials research, 2009, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 2536-2540 作者:  Zhuang, Huizhao;  Wang, Dexiao;  Shen, Jiabing;  Xue, Chengshan;  Zhang, Xiaokai 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162 Ai B; Shen H; Liang ZC; Chen Z; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 chemical vapour deposition  electrical properties and measurements  scanning electron microscopy  polycrystalline silicon  GRAIN-BOUNDARIES  STATES   New insight into the origin of twin and grain boundary in InP 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 1999, 卷号: 110, 期号: 7, 页码: 403-406 Han Y; Lin L 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductors  synchrotron radiation  LEC GROWTH  CZOCHRALSKI  SINGLE-CRYSTALS   New insight into the origin of twin and grain boundary in inp 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 1999, 卷号: 110, 期号: 7, 页码: 403-406 作者:  Han, Y;  Lin, L 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductors  Synchrotron radiation   Twin and grain boundary in InP: A synchrotron radiation study 会议论文  OAI收割 symposium on applications of synchrotron radiation techniques to materials science iv, san francisco, ca, apr 13-17, 1998 Han YJ; Jiang JH; Wang ZG; Liu XL; Jiao JH; Tian YL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29